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IS45S32400E-6TLA1-TR

Package:86-TFSOP(0.400",10.16mm 宽);包装:托盘 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS45S32400E-6TLA1

4M x 32 128Mb SYNCHRONOUS DRAM

OVERVIEW ISSIs 128Mb Synchronous DRAM achieves high-speed data transfer using pipeline architecture. All inputs and outputs signals refer to the rising edge of the clock input. The 128Mb SDRAM is organized in 1Meg x 32 bit x 4 Banks. FEATURES • Clock frequency: 166, 143, 133 MHz • Fully sync

文件:895.21 Kbytes 页数:60 Pages

ISSI

矽成半导体

IS45S32400F-7TLA2

TSOP86

ISSI

矽成半导体

上传:深圳市粤骏腾电子科技有限公司

IS45VM16320D-75BLA1

BGA

ISSI

矽成半导体

上传:深圳德田科技有限公司

IS46TR16128A-15HBL

BGA

ISSI

矽成半导体

上传:深圳市宇创芯科技有限公司

产品属性

  • 产品编号:

    IS45S32400E-6TLA1-TR

  • 制造商:

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

  • 类别:

    集成电路(IC) > 存储器

  • 包装:

    托盘

  • 存储器类型:

    易失

  • 存储器格式:

    DRAM

  • 技术:

    SDRAM

  • 存储容量:

    128Mb(4M x 32)

  • 存储器接口:

    并联

  • 电压 - 供电:

    3V ~ 3.6V

  • 工作温度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    86-TFSOP(0.400",10.16mm 宽)

  • 供应商器件封装:

    86-TSOP II

  • 描述:

    IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
ISSI, Integrated Silicon Solut
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86-TSOP II
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