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IS45S32800D	文件：894.31 Kbytes Page：60 Pages	8M x 32 256Mb SYNCHRONOUS DRAM 文件：894.31 Kbytes 页数：60 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS45S32800D-6BLA1	文件：894.31 Kbytes Page：60 Pages	8M x 32 256Mb SYNCHRONOUS DRAM 文件：894.31 Kbytes 页数：60 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS45S32800D-6TLA1	文件：894.31 Kbytes Page：60 Pages	8M x 32 256Mb SYNCHRONOUS DRAM 文件：894.31 Kbytes 页数：60 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS45S32800D-7BA1	文件：894.31 Kbytes Page：60 Pages	8M x 32 256Mb SYNCHRONOUS DRAM 文件：894.31 Kbytes 页数：60 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS45S32800D-7BLA1	文件：894.31 Kbytes Page：60 Pages	8M x 32 256Mb SYNCHRONOUS DRAM 文件：894.31 Kbytes 页数：60 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS45S32800D-7BLA2	文件：894.31 Kbytes Page：60 Pages	8M x 32 256Mb SYNCHRONOUS DRAM 文件：894.31 Kbytes 页数：60 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
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IS45S32800D	文件：300 bytes Page：1 Pages	SDR SDRAM ·Synchronous, with 3.3V power supply\n·LVTTL interface\n·Programmable burst length (1, 2, 4, 8, full page)\n·Programmable burst sequence: Sequential/Interleave\n·Self refresh and Auto Refresh modes\n·Random column address every clock cycle\n·Programmable CAS latency (2, 3 clocks)\n·Burst read/write	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS45S32800D-6BLA1-TR	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：90-TFBGA；包装：托盘类别：集成电路（IC）存储器描述：IC DRAM 256MBIT PARALLEL 90TFBGA	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

详细参数

型号：
IS45S32800D
制造商：
ISSI
制造商全称：
Integrated Silicon Solution, Inc
功能描述：
8M x 32 256Mb SYNCHRONOUS DRAM

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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