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IS43TR16128B集成电路(IC)存储器规格书PDF中文资料

IS43TR16128B
厂商型号

IS43TR16128B

参数属性

IS43TR16128B 封装/外壳为96-TFBGA;包装为散装;类别为集成电路(IC) > 存储器;产品描述:IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96TWBGA

功能描述

Programmable CAS Latency
IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96TWBGA

文件大小

3.85869 Mbytes

页面数量

88

生产厂商 Integrated Silicon Solution Inc
企业简称

ISSIISSI公司

中文名称

ISSI有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-5-29 22:56:00

IS43TR16128B规格书详情

IS43TR16128B属于集成电路(IC) > 存储器。ISSI有限公司制造生产的IS43TR16128B存储器存储器是集成电路上用作数据存储设备的半导体器件。这些器件分为非易失性或易失性两种,格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、闪存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。这些器件的存储容量为 64 b 至 6 Tb 不等,接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、单线、SPI、UFS、Xccela 总线和 1-线。

产品属性

  • 产品编号:

    IS43TR16128B-093NBLI

  • 制造商:

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

  • 类别:

    集成电路(IC) > 存储器

  • 系列:

    Automotive, AEC-Q100

  • 包装:

    散装

  • 存储器类型:

    易失

  • 存储器格式:

    DRAM

  • 技术:

    SDRAM - DDR3

  • 存储容量:

    2Gb(128M x 16)

  • 存储器接口:

    并联

  • 写周期时间 - 字,页:

    15ns

  • 电压 - 供电:

    1.425V ~ 1.575V

  • 工作温度:

    -40°C ~ 95°C(TC)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    96-TFBGA

  • 供应商器件封装:

    96-TWBGA(9x13)

  • 描述:

    IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96TWBGA

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