DDR SDRAM

·Single supply voltage of 2.5V or 2.6V\n·Standard double-data rate clock timing\n·SSTL_2 compatible inputs\n·Four internal banks with bank controls\n·Data masking per byte on Write commands\n·Programmable burst length of 2, 4, or 8\n·Programmable CAS Latency of 2, 2.5 or 3\n·Auto-Refresh Mode and Se

ISSI

矽成半导体

Package：144-LFBGA；包装：卷带（TR） 类别：集成电路（IC） 存储器 描述：IC DRAM 256MBIT PAR 144MINIBGA

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Package：144-LFBGA；包装：托盘 类别：集成电路（IC） 存储器 描述：IC DRAM 256MBIT PAR 144MINIBGA

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Package：144-LFBGA；包装：托盘 类别：集成电路（IC） 存储器 描述：IC DRAM 256MBIT PAR 144MINIBGA

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc