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IS43LR32160C中文资料Mobile DDR SDRAM数据手册ISSI规格书
IS43LR32160C规格书详情
描述 Description
·Double-data rate
·Four internal banks with bank controls
·Programmable Burst Length and CAS Latency
·Power Savings with:- Partial Array Self Refresh (PASR)- Temperature Compenstate Self Refresh- Selectable Output Driver Strength- Deep Power Down
·Long term support
技术参数
- 产品编号：
IS43LR32160C-6BLI
- 制造商：
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- 类别：
集成电路（IC） > 存储器
- 包装：
托盘
- 存储器类型：
易失
- 存储器格式：
DRAM
- 技术：
SDRAM - 移动 LPDDR
- 存储容量：
512Mb（16M x 32）
- 存储器接口：
并联
- 写周期时间 - 字，页：
12ns
- 电压 - 供电：
1.7V ~ 1.95V
- 工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
90-TFBGA
- 供应商器件封装：
90-TFBGA（8x13）
- 描述：
IC DRAM 512MBIT PARALLEL 90TFBGA
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ISSI |
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | |||
ISSI/芯成 |
22+ |
BGA90 |
18000 |
原装正品 |
询价 | ||
ISSI |
24+ |
n/a |
25836 |
新到现货,只做原装进口 |
询价 | ||
ISSI |
原厂封装 |
9800 |
原装进口公司现货假一赔百 |
询价 | |||
ISSI |
23+ |
BGA |
4500 |
ISSI存储芯片在售 |
询价 | ||
ISSI, Integrated Silicon Solut |
24+ |
90-TFBGA(8x13) |
56200 |
一级代理/放心采购 |
询价 | ||
ISSI/芯成 |
24+ |
BGA90 |
60000 |
询价 | |||
ISSI |
3 |
询价 | |||||
ISSI Integrated Silicon Soluti |
23+ |
90TFBGA (8x13) |
9000 |
原装正品，支持实单 |
询价 | ||
ISSI(美国芯成) |
2021+ |
TFBGA-90(8x13) |
499 |
询价 |
