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IS43DR86400D中文资料1.8V DDR2 SDRAM数据手册ISSI规格书

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厂商型号

IS43DR86400D

参数属性

IS43DR86400D 封装/外壳为60-TFBGA;包装为管件;类别为集成电路(IC)的存储器;产品描述:IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60TWBGA

功能描述

1.8V DDR2 SDRAM

封装外壳

60-TFBGA

制造商

ISSI Integrated Silicon Solution, Inc

中文名称

矽成半导体 北京矽成半导体有限公司

数据手册

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更新时间

2025-9-23 11:11:00

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IS43DR86400D规格书详情

描述 Description

·Single supply voltage of 1.8V ± 0.1V
·SSTL_18 compatible inputs
·Data masking per byte on Write commands
·Programmable burst length of 4 or 8
·Programmable CAS Latency of 3, 4, 5 or 6
·Auto-Refresh and Self-Refresh Modes
·OCD (Off-Chip Driver Impedance Adjustment)
·ODT (On Die Termination) supported
·Long-Term Support

技术参数

  • 产品编号:

    IS43DR86400D-25DBLI-TR

  • 制造商:

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

  • 类别:

    集成电路(IC) > 存储器

  • 包装:

    管件

  • 存储器类型:

    易失

  • 存储器格式:

    DRAM

  • 技术:

    SDRAM - DDR2

  • 存储容量:

    512Mb(64M x 8)

  • 存储器接口:

    并联

  • 写周期时间 - 字,页:

    15ns

  • 电压 - 供电:

    1.7V ~ 1.9V

  • 工作温度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    60-TFBGA

  • 供应商器件封装:

    60-TWBGA(8x10.5)

  • 描述:

    IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60TWBGA

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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