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IS43DR82560B数据手册集成电路（IC）的存储器规格书PDF
IS43DR82560B规格书详情
描述 Description
·Single supply voltage of 1.8V ± 0.1V
·SSTL_18 compatible inputs
·Data masking per byte on Write commands
·Programmable burst length of 4 or 8
·Programmable CAS Latency of 3, 4, 5 or 6
·Auto-Refresh and Self-Refresh Modes
·OCD (Off-Chip Driver Impedance Adjustment)
·ODT (On Die Termination) supported
·Long-Term Support
技术参数
- 产品编号：
IS43DR82560B-25EBLI
- 制造商：
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- 类别：
集成电路（IC） > 存储器
- 包装：
卷带（TR）
- 存储器类型：
易失
- 存储器格式：
DRAM
- 技术：
SDRAM - DDR2
- 存储容量：
2Gb（256M x 8）
- 存储器接口：
并联
- 写周期时间 - 字，页：
15ns
- 电压 - 供电：
1.7V ~ 1.9V
- 工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
60-TFBGA
- 供应商器件封装：
60-TWBGA（10.5x13）
- 描述：
IC DRAM 2GBIT PARALLEL 60TWBGA
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ISSI, Integrated Silicon Solut |
21+ |
BGA |
1000 |
进口原装!长期供应!绝对优势价格(诚信经营 |
询价 | ||
ISSI |
24+ |
NA/ |
5150 |
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询价 | ||
ISSI |
25+ |
FBGA |
996880 |
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ISSI |
1844+ |
BGA60 |
6528 |
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ISSI |
1712+ |
15 |
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ISSI |
23+ |
FBGA |
98900 |
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ISSI |
24+ |
FBGA |
12000 |
原装正品 有挂就有货 |
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ISSI, |
25+ |
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ISSI |
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1983 |
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询价 | |||
ISSI |
25+ |
电联咨询 |
7800 |
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询价 |
