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IS42VS16160J中文资料Mobile/Low Voltage SDR SDRAM数据手册ISSI规格书
| 厂商型号 |
IS42VS16160J |
| 参数属性 | IS42VS16160J 封装/外壳为54-TSOP（0.400"，10.16mm 宽）；包装为卷带（TR）；类别为集成电路（IC）的存储器；产品描述：IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II |
| 功能描述 | Mobile/Low Voltage SDR SDRAM |
| 封装外壳 | 54-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） |
| 制造商 | ISSI Integrated Silicon Solution, Inc |
| 中文名称 | 矽成半导体 北京矽成半导体有限公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-23 11:45:00 |
| 人工找货 | IS42VS16160J价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
IS42VS16160J规格书详情
描述 Description
·Synchronous SDRAM interface
·Multiple Supply Voltage options: 1.8V, 2.5V, 3.3V
·Full features of standard SDRAM plus mobile:- Partial Array Self Refresh (PASR)- Temperature Compensated Self Refresh- Selectable Output Driver Strength- Deep Power Down
·Long term support
技术参数
- 产品编号：
IS42VS16160J-75TLI
- 制造商：
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- 类别：
集成电路（IC） > 存储器
- 包装：
卷带（TR）
- 存储器类型：
易失
- 存储器格式：
DRAM
- 技术：
SDRAM
- 存储容量：
256Mb（16M x 16）
- 存储器接口：
并联
- 电压 - 供电：
1.7V ~ 1.9V
- 工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
54-TSOP（0.400"，10.16mm 宽）
- 供应商器件封装：
54-TSOP II
- 描述：
IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ISSI |
2023+ |
BGA |
3480 |
一级代理优势现货,全新正品直营店 |
询价 | ||
ISSI |
23+ |
BGA |
10807 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
询价 | ||
ISSI |
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | |||
ISSIINTEGRATEDSILICONSOLUTIONI |
2447 |
SMD |
100500 |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
询价 | ||
ISSI, |
25+ |
25000 |
原厂原包 深圳现货 主打品牌 假一赔百 可开票! |
询价 | |||
ISSI, Integrated Silicon Solu |
23+ |
54-TSOP2 |
7300 |
专注配单,只做原装进口现货 |
询价 | ||
ISSI |
2450+ |
TSSOP |
8850 |
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询价 | ||
IS42VS16400E-75BLI |
594 |
594 |
询价 | ||||
ISSI |
25+ |
电联咨询 |
7800 |
公司现货,提供拆样技术支持 |
询价 | ||
ISSI Integrated Silicon Soluti |
22+ |
54TSOP2 |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 |
