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IS42VM32400E中文资料Mobile/Low Voltage SDR SDRAM数据手册ISSI规格书
| 厂商型号 |
IS42VM32400E |
| 参数属性 | IS42VM32400E 封装/外壳为90-TFBGA；包装为卷带（TR）；类别为集成电路（IC）的存储器；产品描述：IC DRAM 128MBIT PARALLEL 90TFBGA |
| 功能描述 | Mobile/Low Voltage SDR SDRAM |
| 封装外壳 | 90-TFBGA |
| 制造商 | ISSI Integrated Silicon Solution, Inc |
| 中文名称 | 矽成半导体 北京矽成半导体有限公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-23 14:03:00 |
| 人工找货 | IS42VM32400E价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
IS42VM32400E规格书详情
描述 Description
·Synchronous SDRAM interface
·Multiple Supply Voltage options: 1.8V, 2.5V, 3.3V
·Full features of standard SDRAM plus mobile:- Partial Array Self Refresh (PASR)- Temperature Compensated Self Refresh- Selectable Output Driver Strength- Deep Power Down
·Long term support
技术参数
- 产品编号：
IS42VM32400E-75BLI-TR
- 制造商：
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- 类别：
集成电路（IC） > 存储器
- 包装：
卷带（TR）
- 存储器类型：
易失
- 存储器格式：
DRAM
- 技术：
SDRAM - 移动
- 存储容量：
128Mb（4M x 32）
- 存储器接口：
并联
- 电压 - 供电：
1.7V ~ 1.95V
- 工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
90-TFBGA
- 供应商器件封装：
90-TFBGA（8x13）
- 描述：
IC DRAM 128MBIT PARALLEL 90TFBGA
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ISSI |
23+ |
BGA |
3000 |
一级代理原厂VIP渠道,专注军工、汽车、医疗、工业、 |
询价 | ||
ISSI |
24+ |
BGA |
60000 |
询价 | |||
ISSI, Integrated Silicon Solut |
21+ |
96-TFBGA |
5280 |
进口原装!长期供应!绝对优势价格(诚信经营 |
询价 | ||
ISSI, Integrated Silicon Solu |
23+ |
90-TFBGA8x13 |
7300 |
专注配单,只做原装进口现货 |
询价 | ||
ISSI |
25+ |
BGA-90 |
16000 |
原装优势绝对有货 |
询价 | ||
ISSI |
23+ |
BGA |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
ISSI |
25+ |
电联咨询 |
7800 |
公司现货,提供拆样技术支持 |
询价 | ||
ISSI Integrated Silicon Soluti |
22+ |
90TFBGA (8x13) |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
24+ |
BGA |
5000 |
只做原装公司现货 |
询价 | |||
ISSI |
21+ |
BGA |
10000 |
原装现货假一罚十 |
询价 |
