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IS42VM32200M中文资料Mobile/Low Voltage SDR SDRAM数据手册ISSI规格书
IS42VM32200M规格书详情
描述 Description
·Synchronous SDRAM interface
·Multiple Supply Voltage options: 1.8V, 2.5V, 3.3V
·Full features of standard SDRAM plus mobile:- Partial Array Self Refresh (PASR)- Temperature Compensated Self Refresh- Selectable Output Driver Strength- Deep Power Down
·Long term support
技术参数
- 产品编号：
IS42VM32200M-6BLI-TR
- 制造商：
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- 类别：
集成电路（IC） > 存储器
- 包装：
托盘
- 存储器类型：
易失
- 存储器格式：
DRAM
- 技术：
SDRAM - 移动
- 存储容量：
64Mb（2M x 32）
- 存储器接口：
并联
- 电压 - 供电：
1.7V ~ 1.95V
- 工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
90-TFBGA
- 供应商器件封装：
90-TFBGA（8x13）
- 描述：
IC DRAM 64MBIT PARALLEL 90TFBGA
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ISSI |
24+ |
con |
10000 |
查现货到京北通宇商城 |
询价 | ||
ISSI Integrated Silicon Soluti |
22+ |
90TFBGA (8x13) |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
ISSI, Integrated Silicon Solut |
21+ |
54-TFBGA |
5280 |
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询价 | ||
ISSI(美国芯成) |
2021+ |
TFBGA-90(8x13) |
499 |
询价 | |||
INTEGRATEDSILICONSOLUTION |
23+ |
10000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
询价 | |||
ISSI, Integrated Silicon Solu |
23+ |
90-TFBGA8x13 |
7300 |
专注配单,只做原装进口现货 |
询价 | ||
ISSI(美国芯成) |
2447 |
TFBGA-90(8x13) |
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询价 | ||
ISSI |
23+ |
BGA |
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ISSI, |
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ISSI |
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