首页>IS43DR86400>规格书详情
IS43DR86400集成电路(IC)存储器规格书PDF中文资料
![IS43DR86400](https://img.114ic.com/dgk/Renders/ISSI%20(Integrated%20Silicon)%20Renders/706;-60TWBGA-1.1-10x8;-;-60.jpg)
厂商型号 |
IS43DR86400 |
参数属性 | IS43DR86400 封装/外壳为60-TFBGA;包装为卷带(TR);类别为集成电路(IC) > 存储器;产品描述:IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60TWBGA |
功能描述 | Clock frequency up to 400MHz |
文件大小 |
867 Kbytes |
页面数量 |
29 页 |
生产厂商 | Integrated Silicon Solution Inc |
企业简称 |
ISSI【ISSI公司】 |
中文名称 | ISSI有限公司官网 |
原厂标识 | ![]() |
数据手册 | |
更新时间 | 2024-6-21 10:00:00 |
IS43DR86400规格书详情
IS43DR86400属于集成电路(IC) > 存储器。ISSI有限公司制造生产的IS43DR86400存储器存储器是集成电路上用作数据存储设备的半导体器件。这些器件分为非易失性或易失性两种,格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、闪存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。这些器件的存储容量为 64 b 至 6 Tb 不等,接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、单线、SPI、UFS、Xccela 总线和 1-线。
产品属性
- 产品编号:
IS43DR86400C-25DBLI
- 制造商:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- 类别:
集成电路(IC) > 存储器
- 包装:
卷带(TR)
- 存储器类型:
易失
- 存储器格式:
DRAM
- 技术:
SDRAM - DDR2
- 存储容量:
512Mb(64M x 8)
- 存储器接口:
并联
- 写周期时间 - 字,页:
15ns
- 电压 - 供电:
1.7V ~ 1.9V
- 工作温度:
-40°C ~ 85°C(TA)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
60-TFBGA
- 供应商器件封装:
60-TWBGA(8x10.5)
- 描述:
IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60TWBGA
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ISSI, Integrated Silicon Solut |
21+ |
60-TWBGA(8x10.5) |
56200 |
一级代理/放心采购 |
询价 | ||
ISSI |
专业军工 |
NA |
1000 |
只做原装正品 |
询价 | ||
ISSI |
23+ |
BGA |
57949 |
##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术 |
询价 | ||
ISSI, Integrated Silicon Solut |
22+ |
60-TWBGA (10.5x8) |
10000 |
诚信至上只做原装 |
询价 | ||
ISSI |
22+ |
NA |
57067 |
询价 | |||
ISSI |
22+ |
10000 |
绝对全新原装现货热卖 |
询价 | |||
ISSI |
23+ |
BGA |
2800 |
原厂原装正品 |
询价 | ||
ISSI |
22+23+ |
BGA |
19651 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
询价 | ||
ISSI |
2021+ |
BGA |
5950 |
原装正品假一罚十 |
询价 | ||
ISSI, Integrated Silicon Solut |
21+ |
60-TFBGA |
6000 |
正规渠道/品质保证/原装正品现货 |
询价 |