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IS42S32200C1-55T集成电路（IC）存储器规格书PDF中文资料
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| 厂商型号 |
IS42S32200C1-55T |
| 参数属性 | IS42S32200C1-55T 封装/外壳为86-TFSOP（0.400"，10.16mm 宽）；包装为卷带（TR）；类别为集成电路（IC） > 存储器；产品描述：IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II |
| 功能描述 | 512K Bits x 32 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| 文件大小 |
608.22 Kbytes |
| 页面数量 |
59 页 |
| 生产厂商 | Integrated Silicon Solution Inc |
| 企业简称 |
ISSI【ISSI公司】 |
| 中文名称 | ISSI有限公司官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2024-6-6 19:13:00 |
IS42S32200C1-55T规格书详情
IS42S32200C1-55T属于集成电路（IC） > 存储器。ISSI有限公司制造生产的IS42S32200C1-55T存储器存储器是集成电路上用作数据存储设备的半导体器件。这些器件分为非易失性或易失性两种，格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、闪存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。这些器件的存储容量为 64 b 至 6 Tb 不等，接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、单线、SPI、UFS、Xccela 总线和 1-线。
产品属性
- 产品编号：
IS42S32200C1-55T
- 制造商：
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- 类别：
集成电路（IC） > 存储器
- 包装：
卷带（TR）
- 存储器类型：
易失
- 存储器格式：
DRAM
- 技术：
SDRAM
- 存储容量：
64Mb（2M x 32）
- 存储器接口：
并联
- 电压 - 供电：
3.15V ~ 3.45V
- 工作温度：
0°C ~ 70°C（TA）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
86-TFSOP（0.400"，10.16mm 宽）
- 供应商器件封装：
86-TSOP II
- 描述：
IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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