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IS42S32200C1-55T集成电路（IC）的存储器规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
IS42S32200C1-55T |
| 参数属性 | IS42S32200C1-55T 封装/外壳为86-TFSOP（0.400"，10.16mm 宽）；包装为卷带（TR）；类别为集成电路（IC）的存储器；产品描述：IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II |
| 功能描述 | 512K Bits x 32 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| 封装外壳 | 86-TFSOP（0.400"，10.16mm 宽） |
| 文件大小 |
608.22 Kbytes |
| 页面数量 |
59 页 |
| 生产厂商 | Integrated Silicon Solution Inc |
| 企业简称 |
ISSI【北京矽成】 |
| 中文名称 | 北京矽成半导体有限公司官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-2 20:00:00 |
| 人工找货 | IS42S32200C1-55T价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
产品属性
- 产品编号：
IS42S32200C1-55T
- 制造商：
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- 类别：
集成电路（IC） > 存储器
- 包装：
卷带（TR）
- 存储器类型：
易失
- 存储器格式：
DRAM
- 技术：
SDRAM
- 存储容量：
64Mb（2M x 32）
- 存储器接口：
并联
- 电压 - 供电：
3.15V ~ 3.45V
- 工作温度：
0°C ~ 70°C（TA）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
86-TFSOP（0.400"，10.16mm 宽）
- 供应商器件封装：
86-TSOP II
- 描述：
IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ISSI |
25+ |
BGA |
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ISSI |
23+ |
BGA |
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