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IS42S16400J-6BL

1 Meg Bits x 16 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM

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IS42S16400J-6BL

包装:卷带(TR) 封装/外壳:54-TFBGA 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC DRAM 64MBIT PARALLEL 54TFBGA

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

ISSI公司ISSI有限公司

ISSI

IS42S16400J-6BLI

1 Meg Bits x 16 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM

etc2List of Unclassifed Manufacturers

etc2未分类制造商

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IS42S16400J-6BLI-TR

包装:卷带(TR) 封装/外壳:54-TFBGA 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC DRAM 64MBIT PARALLEL 54TFBGA

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

ISSI公司ISSI有限公司

ISSI

IS42S16400J-6BL-TR

包装:托盘 封装/外壳:54-TFBGA 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC DRAM 64MBIT PARALLEL 54TFBGA

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

ISSI公司ISSI有限公司

ISSI

IS42S16400J-6TL

1MegBitsx16Bitsx4Banks(64-MBIT)SYNCHRONOUSDYNAMICRAM

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IS42S16400J-6TL

1MegBitsx16Bitsx4Banks(64-MBIT)SYNCHRONOUSDYNAMICRAM

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

ISSI公司ISSI有限公司

ISSI

IS42S16400J-6TLI

1MegBitsx16Bitsx4Banks(64-MBIT)SYNCHRONOUSDYNAMICRAM

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产品属性

  • 产品编号:

    IS42S16400J-6BL

  • 制造商:

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

  • 类别:

    集成电路(IC) > 存储器

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 存储器类型:

    易失

  • 存储器格式:

    DRAM

  • 技术:

    SDRAM

  • 存储容量:

    64Mb(4M x 16)

  • 存储器接口:

    并联

  • 电压 - 供电:

    3V ~ 3.6V

  • 工作温度:

    0°C ~ 70°C(TA)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    54-TFBGA

  • 供应商器件封装:

    54-TFBGA(8x8)

  • 描述:

    IC DRAM 64MBIT PARALLEL 54TFBGA

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
ISSI
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动态随机存取存储器64M(4Mx16)166MHzSDRS动态随机存取
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ISSI, Integrated Silicon Solut
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更多IS42S16400J-6BL供应商 更新时间2024-4-28 11:51:00