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IS42S16400F-6TLI	文件：1.05389 Mbytes Page：58 Pages	1 Meg Bits x 16 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM 文件：1.05389 Mbytes 页数：58 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS42S16400F-7BL	文件：1.05389 Mbytes Page：58 Pages	1 Meg Bits x 16 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM 文件：1.05389 Mbytes 页数：58 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS42S16400F-7BLI	文件：1.05389 Mbytes Page：58 Pages	1 Meg Bits x 16 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM 文件：1.05389 Mbytes 页数：58 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS42S16400F-7TL	文件：1.05389 Mbytes Page：58 Pages	1 Meg Bits x 16 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM 文件：1.05389 Mbytes 页数：58 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS42S16400F-7TL	文件：822.43 Kbytes Page：55 Pages	1 Meg Bits x 16 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM 文件：822.43 Kbytes 页数：55 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS42S16400F-7TLI	文件：822.43 Kbytes Page：55 Pages	1 Meg Bits x 16 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM 文件：822.43 Kbytes 页数：55 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS42S16400F-7TLI	文件：1.05389 Mbytes Page：58 Pages	1 Meg Bits x 16 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM 文件：1.05389 Mbytes 页数：58 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS42S16400F-7TL-TR	文件：822.43 Kbytes Page：55 Pages	1 Meg Bits x 16 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM 文件：822.43 Kbytes 页数：55 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS42S16400F	文件：300 bytes Page：1 Pages	SDR SDRAM ·Synchronous, with 3.3V power supply\n·LVTTL interface\n·Programmable burst length (1, 2, 4, 8, full page)\n·Programmable burst sequence: Sequential/Interleave\n·Self refresh and Auto Refresh modes\n·Random column address every clock cycle\n·Programmable CAS latency (2, 3 clocks)\n·Burst read/write	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS42S16400F-5BL-TR	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：54-TFBGA；包装：管件类别：集成电路（IC）存储器描述：IC DRAM 64MBIT PARALLEL 54TFBGA	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

详细参数

型号：
IS42S16400F
制造商：
ISSI
制造商全称：
Integrated Silicon Solution, Inc
功能描述：
1 Meg Bits x 16 Bits x 4 Banks(64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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