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IS42S16160J中文资料SDR SDRAM数据手册ISSI规格书
IS42S16160J规格书详情
描述 Description
·Synchronous, with 3.3V power supply
·LVTTL interface
·Programmable burst length (1, 2, 4, 8, full page)
·Programmable burst sequence: Sequential/Interleave
·Self refresh and Auto Refresh modes
·Random column address every clock cycle
·Programmable CAS latency (2, 3 clocks)
·Burst read/write and burst read/single write
·Long-Term Support
技术参数
- 产品编号:
IS42S16160J-6BLI
- 制造商:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- 类别:
集成电路(IC) > 存储器
- 包装:
托盘
- 存储器类型:
易失
- 存储器格式:
DRAM
- 技术:
SDRAM
- 存储容量:
256Mb(16M x 16)
- 存储器接口:
并联
- 电压 - 供电:
3V ~ 3.6V
- 工作温度:
-40°C ~ 85°C(TA)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
54-TFBGA
- 供应商器件封装:
54-TFBGA(8x8)
- 描述:
IC DRAM 256MBIT PARALLEL 54TFBGA
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ISSI |
24+ |
BGA54 |
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ISSI |
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ISSI |
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ISSI |
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BGA54 |
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ISSI |
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NA |
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ISSI(美国芯成) |
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ISSI |
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TSOP-54 |
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NA |
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NA |
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