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IS42S16100E-6BLI集成电路(IC)的存储器规格书PDF中文资料

IS42S16100E-6BLI
厂商型号

IS42S16100E-6BLI

参数属性

IS42S16100E-6BLI 封装/外壳为60-TFBGA;包装为卷带(TR);类别为集成电路(IC)的存储器;产品描述:IC DRAM 16MBIT PARALLEL 60TFBGA

功能描述

512K Words x 16 Bits x 2 Banks 16Mb SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM

封装外壳

60-TFBGA

文件大小

1.61909 Mbytes

页面数量

82

生产厂商 Integrated Silicon Solution Inc
企业简称

ISSI北京矽成

中文名称

北京矽成半导体有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-7-4 16:36:00

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产品属性

  • 产品编号:

    IS42S16100E-6BLI

  • 制造商:

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

  • 类别:

    集成电路(IC) > 存储器

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 存储器类型:

    易失

  • 存储器格式:

    DRAM

  • 技术:

    SDRAM

  • 存储容量:

    16Mb(1M x 16)

  • 存储器接口:

    并联

  • 电压 - 供电:

    3V ~ 3.6V

  • 工作温度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    60-TFBGA

  • 供应商器件封装:

    60-TFBGA(6.4x10.1)

  • 描述:

    IC DRAM 16MBIT PARALLEL 60TFBGA

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