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IS42S16100C1-7BLI集成电路（IC）的存储器规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
IS42S16100C1-7BLI |
| 参数属性 | IS42S16100C1-7BLI 封装/外壳为60-TFBGA；包装为卷带（TR）；类别为集成电路（IC）的存储器；产品描述：IC DRAM 16MBIT PARALLEL 60TFBGA |
| 功能描述 | 512K Words x 16 Bits x 2 Banks (16-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| 封装外壳 | 60-TFBGA |
| 文件大小 |
912.12 Kbytes |
| 页面数量 |
81 页 |
| 生产厂商 | ISSI |
| 中文名称 | 矽成半导体 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-11-30 22:58:00 |
| 人工找货 | IS42S16100C1-7BLI价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
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更多产品属性
- 产品编号：
IS42S16100C1-7BLI
- 制造商：
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- 类别：
集成电路（IC） > 存储器
- 包装：
卷带（TR）
- 存储器类型：
易失
- 存储器格式：
DRAM
- 技术：
SDRAM
- 存储容量：
16Mb（1M x 16）
- 存储器接口：
并联
- 电压 - 供电：
3V ~ 3.6V
- 工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
60-TFBGA
- 供应商器件封装：
60-TFBGA（6.4x10.1）
- 描述：
IC DRAM 16MBIT PARALLEL 60TFBGA
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ISSI |
2016+ |
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ISSI |
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