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IS42S16100C1-7BLI	文件：912.12 Kbytes Page：81 Pages	512K Words x 16 Bits x 2 Banks (16-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM 文件：912.12 Kbytes 页数：81 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS42S16100C1-7BLI	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：60-TFBGA；包装：卷带（TR）类别：集成电路（IC）存储器描述：IC DRAM 16MBIT PARALLEL 60TFBGA	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS42S16100C1-7BLI-TR	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：60-TFBGA；包装：卷带（TR）类别：集成电路（IC）存储器描述：IC DRAM 16MBIT PARALLEL 60TFBGA	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS42S16100C1-7T	文件：755.67 Kbytes Page：79 Pages	512K Words x 16 Bits x 2 Banks (16-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM DESCRIPTION ISSI’s 16Mb Synchronous DRAM IS42S16100C1 is organized as a 524,288-word x 16-bit x 2-bank for improved performance. The synchronous DRAMs achieve high-speed data transfer using pipeline architecture. All inputs and outputs signals refer to the rising edge of the clock input. FEATURE 文件：755.67 Kbytes 页数：79 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS42S16100C1-7T	文件：912.12 Kbytes Page：81 Pages	512K Words x 16 Bits x 2 Banks (16-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM 文件：912.12 Kbytes 页数：81 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS42S16100C1-7TI	文件：912.12 Kbytes Page：81 Pages	512K Words x 16 Bits x 2 Banks (16-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM 文件：912.12 Kbytes 页数：81 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI

产品属性

产品编号：
IS42S16100C1-7BLI
制造商：
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
卷带（TR）
存储器类型：
易失
存储器格式：
DRAM
技术：
SDRAM
存储容量：
16Mb（1M x 16）
存储器接口：
并联
电压 - 供电：
3V ~ 3.6V
工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
60-TFBGA
供应商器件封装：
60-TFBGA（6.4x10.1）
描述：
IC DRAM 16MBIT PARALLEL 60TFBGA

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