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IS42S16100E-6BLI

512K Words x 16 Bits x 2 Banks 16Mb SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM

文件:1.61909 Mbytes 页数:82 Pages

ISSI

矽成半导体

IS42S16100E-6BLI

Package:60-TFBGA;包装:卷带(TR) 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC DRAM 16MBIT PARALLEL 60TFBGA

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS42S16100E-6BLI-TR

Package:60-TFBGA;包装:卷带(TR) 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC DRAM 16MBIT PARALLEL 60TFBGA

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS42S16100E-6T

512K Words x 16 Bits x 2 Banks 16Mb SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM

文件:1.61909 Mbytes 页数:82 Pages

ISSI

矽成半导体

IS42S16100E-6TL

512K Words x 16 Bits x 2 Banks 16Mb SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM

文件:1.61909 Mbytes 页数:82 Pages

ISSI

矽成半导体

IS42S16100E-6TLI

512K Words x 16 Bits x 2 Banks 16Mb SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM

文件:1.61909 Mbytes 页数:82 Pages

ISSI

矽成半导体

产品属性

  • 产品编号:

    IS42S16100E-6BLI

  • 制造商:

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

  • 类别:

    集成电路(IC) > 存储器

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 存储器类型:

    易失

  • 存储器格式:

    DRAM

  • 技术:

    SDRAM

  • 存储容量:

    16Mb(1M x 16)

  • 存储器接口:

    并联

  • 电压 - 供电:

    3V ~ 3.6V

  • 工作温度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    60-TFBGA

  • 供应商器件封装:

    60-TFBGA(6.4x10.1)

  • 描述:

    IC DRAM 16MBIT PARALLEL 60TFBGA

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
ISSI
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BGA(60)
12000
专营ISSI进口原装正品假一赔十可開17增值稅票
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BGA(60)
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ISSI, Integrated Silicon Solut
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144-TFBGA
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ISSI, Integrated Silicon Solut
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60-TFBGA(6.4x10.1)
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更多IS42S16100E-6BLI供应商 更新时间2025-10-12 9:18:00