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IS42S16100C1-7BI	文件：912.12 Kbytes Page：81 Pages	512K Words x 16 Bits x 2 Banks (16-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM 文件：912.12 Kbytes 页数：81 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS42S16100C1-7BI	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：60-TFBGA；包装：卷带（TR）类别：集成电路（IC）存储器描述：IC DRAM 16MBIT PARALLEL 60TFBGA	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS42S16100C1-7BI-TR	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：60-TFBGA；包装：卷带（TR）类别：集成电路（IC）存储器描述：IC DRAM 16MBIT PARALLEL 60TFBGA	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS42S16100C1-7BL	文件：912.12 Kbytes Page：81 Pages	512K Words x 16 Bits x 2 Banks (16-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM 文件：912.12 Kbytes 页数：81 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS42S16100C1-7BLI	文件：912.12 Kbytes Page：81 Pages	512K Words x 16 Bits x 2 Banks (16-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM 文件：912.12 Kbytes 页数：81 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS42S16100C1-7T	文件：755.67 Kbytes Page：79 Pages	512K Words x 16 Bits x 2 Banks (16-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM DESCRIPTION ISSI’s 16Mb Synchronous DRAM IS42S16100C1 is organized as a 524,288-word x 16-bit x 2-bank for improved performance. The synchronous DRAMs achieve high-speed data transfer using pipeline architecture. All inputs and outputs signals refer to the rising edge of the clock input. FEATURE 文件：755.67 Kbytes 页数：79 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI

产品属性

产品编号：
IS42S16100C1-7BI
制造商：
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
卷带（TR）
存储器类型：
易失
存储器格式：
DRAM
技术：
SDRAM
存储容量：
16Mb（1M x 16）
存储器接口：
并联
电压 - 供电：
3V ~ 3.6V
工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
60-TFBGA
供应商器件封装：
60-TFBGA（6.4x10.1）
描述：
IC DRAM 16MBIT PARALLEL 60TFBGA

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