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IS41LV4400X	文件：158.88 Kbytes Page：19 Pages	4M x 4 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE DESCRIPTION The ISSI 4400 Series is a 4,194,304 x 4-bit high-performance CMOS Dynamic Random Access Memory. These devices offer an accelerated cycle access called EDO Page Mode. EDO Page Mode allows 2,048 or 4096 random accesses within a single row with access cycle time as short as 20 ns per 4-b 文件：158.88 Kbytes 页数：19 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS42S16100C1-7TL	文件：0 bytes Page：0 Pages	TSOP	ISSI 矽成半导体上传：深圳市勤思达科技有限公司	ISSI
IS42S16160B-6TL	文件：0 bytes Page：0 Pages	TSOP54	ISSI 矽成半导体上传：深圳市凌旭科技有限公司	ISSI
IS42S16160B-6TL	文件：0 bytes Page：0 Pages	TSOP54	ISSI 矽成半导体上传：深圳市宏捷佳电子科技有限公司	ISSI
IS42S16160B-7BLI	文件：0 bytes Page：0 Pages	FBGA	ISSI 矽成半导体上传：深圳市宏捷佳电子科技有限公司	ISSI

详细参数

型号：
IS41LV4400X
制造商：
ISSI
制造商全称：
Integrated Silicon Solution, Inc
功能描述：
4M x 4(16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE

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更多IS41LV4400X供应商更新时间2026-1-29 13:28:00

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