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IS41LV4400X中文资料北京矽成数据手册PDF规格书

IS41LV4400X
厂商型号

IS41LV4400X

功能描述

4M x 4 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE

文件大小

158.88 Kbytes

页面数量

19

生产厂商 Integrated Silicon Solution Inc
企业简称

ISSI北京矽成

中文名称

北京矽成半导体有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-7-1 19:13:00

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IS41LV4400X规格书详情

DESCRIPTION

The ISSI 4400 Series is a 4,194,304 x 4-bit high-performance CMOS Dynamic Random Access Memory. These devices offer an accelerated cycle access called EDO Page Mode. EDO Page Mode allows 2,048 or 4096 random accesses within a single row with access cycle time as short as 20 ns per 4-bit word.

FEATURES

• Extended Data-Out (EDO) Page Mode access cycle

• TTL compatible inputs and outputs

• Refresh Interval:

– 2,048 cycles/32 ms

– 4,096 cycles/64 ms

• Refresh Mode: RAS-Only, CAS-before-RAS (CBR), and Hidden

• Single power supply:

– 5V±10 or 3.3V ± 10

• Byte Write and Byte Read operation via two CAS

• Industrial temperature range -40°C to 85°C

产品属性

  • 型号:

    IS41LV4400X

  • 制造商:

    ISSI

  • 制造商全称:

    Integrated Silicon Solution, Inc

  • 功能描述:

    4M x 4(16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE

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