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IS42S16100C1-7TL | 512K Words x 16 Bits x 2 Banks (16-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM DESCRIPTION ISSI’s16MbSynchronousDRAMIS42S16100C1isorganizedasa524,288-wordx16-bitx2-bankforimprovedperformance.ThesynchronousDRAMsachievehigh-speeddatatransferusingpipelinearchitecture.Allinputsandoutputssignalsrefertotherisingedgeoftheclockinput. FEATURE | ISSIIntegrated Silicon Solution Inc ISSI公司ISSI有限公司 |  | |
IS42S16100C1-7TL | 512K Words x 16 Bits x 2 Banks (16-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM | ISSIIntegrated Silicon Solution Inc ISSI公司ISSI有限公司 | | |
IS42S16100C1-7TL | 包装：卷带（TR） 封装/外壳：50-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） 类别：集成电路（IC） 存储器 描述：IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II | ISSIIntegrated Silicon Solution Inc ISSI公司ISSI有限公司 | | |
512K Words x 16 Bits x 2 Banks (16-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM DESCRIPTION ISSI’s16MbSynchronousDRAMIS42S16100C1isorganizedasa524,288-wordx16-bitx2-bankforimprovedperformance.ThesynchronousDRAMsachievehigh-speeddatatransferusingpipelinearchitecture.Allinputsandoutputssignalsrefertotherisingedgeoftheclockinput. FEATURE | ISSIIntegrated Silicon Solution Inc ISSI公司ISSI有限公司 | | ||
512K Words x 16 Bits x 2 Banks (16-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM | ISSIIntegrated Silicon Solution Inc ISSI公司ISSI有限公司 | | ||
包装：卷带（TR） 封装/外壳：50-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） 类别：集成电路（IC） 存储器 描述：IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II | ISSIIntegrated Silicon Solution Inc ISSI公司ISSI有限公司 | | ||
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512KWordsx16Bitsx2Banks(16-MBIT)SYNCHRONOUSDYNAMICRAM | ISSIIntegrated Silicon Solution Inc ISSI公司ISSI有限公司 | | ||
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512KWordsx16Bitsx2Banks(16-MBIT)SYNCHRONOUSDYNAMICRAM | ISSIIntegrated Silicon Solution Inc ISSI公司ISSI有限公司 | | ||
512KWordsx16Bitsx2Banks(16-MBIT)SYNCHRONOUSDYNAMICRAM | ISSIIntegrated Silicon Solution Inc ISSI公司ISSI有限公司 | | ||
512KWordsx16Bitsx2Banks(16-MBIT)SYNCHRONOUSDYNAMICRAM | ISSIIntegrated Silicon Solution Inc ISSI公司ISSI有限公司 | | ||
512KWordsx16Bitsx2Banks(16-MBIT)SYNCHRONOUSDYNAMICRAM DESCRIPTION ISSI’s16MbSynchronousDRAMIS42S16100C1isorganizedasa524,288-wordx16-bitx2-bankforimprovedperformance.ThesynchronousDRAMsachievehigh-speeddatatransferusingpipelinearchitecture.Allinputsandoutputssignalsrefertotherisingedgeoftheclockinput. FEATURE | ISSIIntegrated Silicon Solution Inc ISSI公司ISSI有限公司 | | ||
512KWordsx16Bitsx2Banks(16-MBIT)SYNCHRONOUSDYNAMICRAM DESCRIPTION ISSI’s16MbSynchronousDRAMIS42S16100C1isorganizedasa524,288-wordx16-bitx2-bankforimprovedperformance.ThesynchronousDRAMsachievehigh-speeddatatransferusingpipelinearchitecture.Allinputsandoutputssignalsrefertotherisingedgeoftheclockinput. FEATURE | ISSIIntegrated Silicon Solution Inc ISSI公司ISSI有限公司 | | ||
512KWordsx16Bitsx2Banks(16-MBIT)SYNCHRONOUSDYNAMICRAM | ISSIIntegrated Silicon Solution Inc ISSI公司ISSI有限公司 | |
产品属性
- 产品编号：
IS42S16100C1-7TL
- 制造商：
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- 类别：
集成电路（IC） > 存储器
- 包装：
卷带（TR）
- 存储器类型：
易失
- 存储器格式：
DRAM
- 技术：
SDRAM
- 存储容量：
16Mb（1M x 16）
- 存储器接口：
并联
- 电压 - 供电：
3V ~ 3.6V
- 工作温度：
0°C ~ 70°C（TA）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
50-TSOP（0.400"，10.16mm 宽）
- 供应商器件封装：
50-TSOP II
- 描述：
IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
13384 |
TSSOP30 |
2010 |
美国德州仪器TEXASINSTRUMENTS原厂代理辉华拓展内地现 |
询价 | |||
ISSI |
23+ |
TSOP |
3000 |
全新原装正品现货热卖!欢迎订购! |
询价 | ||
ISSI |
23+ |
TSSOP |
41936 |
ISSI原装存储芯片-诚信为本 |
询价 | ||
ISSI |
2008 |
TSOP |
21 |
厂家指定一级分销全新原装现货价 |
询价 | ||
ISSI |
23+ |
TSOP |
8500 |
询价 | |||
ISSI |
2021+ |
TSSOP |
9450 |
原装现货。 |
询价 | ||
ISSI |
21+ |
TSOP |
6000 |
原装正品 |
询价 | ||
ISSI |
21+ |
TSOP50 |
9850 |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
询价 | ||
NXP/恩智浦 |
2206+ |
SOT363 |
14286 |
询价 | |||
ISSI |
21+ |
TSOP50 |
60000 |
原装正品进口现货 |
询价 |
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