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IS41LV16400-60T	文件：143.62 Kbytes Page：19 Pages	4Mx16 (64-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE DESCRIPTION The ISSI IS41LV16400 is 4,194,304 x 16-bit high-performance CMOS Dynamic Random Access Memories. These devices offer an accelerated cycle access called EDO Page Mode. EDO Page Mode allows 1,024 random accesses within a single row with access cycle time as short as 20 ns per 16-bit wor 文件：143.62 Kbytes 页数：19 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS41LV16400-60TE	文件：143.62 Kbytes Page：19 Pages	4Mx16 (64-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE DESCRIPTION The ISSI IS41LV16400 is 4,194,304 x 16-bit high-performance CMOS Dynamic Random Access Memories. These devices offer an accelerated cycle access called EDO Page Mode. EDO Page Mode allows 1,024 random accesses within a single row with access cycle time as short as 20 ns per 16-bit wor 文件：143.62 Kbytes 页数：19 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS41LV16400-60TI	文件：143.62 Kbytes Page：19 Pages	4Mx16 (64-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE DESCRIPTION The ISSI IS41LV16400 is 4,194,304 x 16-bit high-performance CMOS Dynamic Random Access Memories. These devices offer an accelerated cycle access called EDO Page Mode. EDO Page Mode allows 1,024 random accesses within a single row with access cycle time as short as 20 ns per 16-bit wor 文件：143.62 Kbytes 页数：19 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS42S16100C1-7TL	文件：0 bytes Page：0 Pages	ISSI TSOP	ISSI 矽成半导体上传：深圳市勤思达科技有限公司	ISSI
IS42S16160B-6TL	文件：0 bytes Page：0 Pages	ISSI TSOP54	ISSI 矽成半导体上传：深圳市凌旭科技有限公司	ISSI

详细参数

型号：
IS41LV16400-60T
制造商：
ISSI
制造商全称：
Integrated Silicon Solution, Inc
功能描述：
4Mx16(64-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE

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更多IS41LV16400-60T供应商更新时间2025-10-8 10:18:00

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