IS41LV16105集成电路（IC）的存储器规格书PDF中文资料

厂商型号	IS41LV16105
参数属性	IS41LV16105 封装/外壳为42-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽）；包装为卷带（TR）；类别为集成电路（IC）的存储器；产品描述：IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ
功能描述	1M x 16 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH FAST PAGE MODE
封装外壳	42-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽）
文件大小	523.179 Kbytes
页面数量	18 页
生产厂商	Integrated Circuit Solution Inc
企业简称	ICSI
中文名称	Integrated Circuit Solution Inc官网
原厂标识	ICSI
数据手册	下载地址一下载地址二
更新时间	2025-8-5 23:01:00
人工找货	IS41LV16105价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货

IS41LV16105规格书详情

DESCRIPTION

The ISSI IS41C16105 and IS41LV16105 are 1,048,576 x 16-bit high-performance CMOS Dynamic Random Access Memo ries. Fast Page Mode allows 1,024 random accesses within a single row with access cycle time as short as 20 ns per 16-bit word. The Byte Write control, of upper and lower byte, makes the IS41C16105 ideal for use in 16-, 32-bit wide data bus systems.

These features make the IS41C16105 and IS41LV16105 ideally suited for high-bandwidth graphics, digital signal processing, high performance computing systems, and peripheral applications.

The IS41C16105 and IS41LV16105 are packaged in a 42-pin 400-mil SOJ and 400-mil 44- (50-) pin TSOP (Type II).

FEATURES

• TTL compatible inputs and outputs; tristate I/O

• Refresh Interval: 1,024 cycles/16 ms

• Refresh Mode: RAS-Only, CAS-before-RAS (CBR), and Hidden

• JEDEC standard pinout

• Single power supply:

5V ± 10 (IS41C16105)

3.3V ± 10 (IS41LV16105)

• Byte Write and Byte Read operation via two CAS

• Industrail temperature range -40°C to 85°C

产品属性

产品编号：
IS41LV16105B-50KLI
制造商：
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
卷带（TR）
存储器类型：
易失
存储器格式：
DRAM
技术：
DRAM - FP
存储容量：
16Mb（1M x 16）
存储器接口：
并联
电压 - 供电：
3V ~ 3.6V
工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
42-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽）
供应商器件封装：
42-SOJ
描述：
IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ

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