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IS41LV16100D中文资料EDO & Fast Page Mode DRAM数据手册ISSI规格书
| 厂商型号 |
IS41LV16100D |
| 参数属性 | IS41LV16100D 封装/外壳为42-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽）；包装为托盘；类别为集成电路（IC）的存储器；产品描述：IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ |
| 功能描述 | EDO & Fast Page Mode DRAM |
| 封装外壳 | 42-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽） |
| 制造商 | ISSI Integrated Silicon Solution, Inc |
| 中文名称 | 矽成半导体 北京矽成半导体有限公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-10-31 20:00:00 |
| 人工找货 | IS41LV16100D价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
IS41LV16100D规格书详情
描述 Description
·Extended Data-Out (EDO) or Fast Page Mode (FPM) option
·TTL compatible inputs and outputs:5V ± 10% and 3.3V ± 10%
·Refresh Mode: RAS-Only, CAS-before-RAS (CBR), and Hidden
·Byte Write and Byte Read operation via two CAS
·Industrial temperature range: -40°C to +85°C
·Long-Term Support
技术参数
- 产品编号：
IS41LV16100D-50KLI-TR
- 制造商：
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- 类别：
集成电路（IC） > 存储器
- 包装：
托盘
- 存储器类型：
易失
- 存储器格式：
DRAM
- 技术：
DRAM - EDO
- 存储容量：
16Mb（1M x 16）
- 存储器接口：
并联
- 电压 - 供电：
3V ~ 3.6V
- 工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
42-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽）
- 供应商器件封装：
42-SOJ
- 描述：
IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ISSI |
24+ |
NA/ |
3260 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
询价 | ||
ISSI |
23+ |
BGA |
4500 |
ISSI存储芯片在售 |
询价 | ||
ISSI(美国芯成) |
24+ |
7350 |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
询价 | |||
ISSI |
0 |
* |
25 |
询价 | |||
ISSI |
23+ |
TSOP50 |
11000 |
原厂原装正品 |
询价 | ||
ISSI(美国芯成) |
2526+ |
TSOP-50/44 |
50000 |
只做原装优势现货库存,渠道可追溯 |
询价 | ||
ISSI, |
25+ |
25000 |
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ISSI |
21+ |
TSOP50 |
8100 |
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询价 | ||
ISSI |
25+ |
TSOP50 |
2000 |
原厂原装,价格优势 |
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ISSI |
2407+ |
IC |
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询价 |
