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IS41LV16100B数据手册集成电路(IC)的存储器规格书PDF

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厂商型号

IS41LV16100B

参数属性

IS41LV16100B 封装/外壳为42-BSOJ(0.400",10.16mm 宽);包装为卷带(TR);类别为集成电路(IC)的存储器;产品描述:IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ

功能描述

EDO & Fast Page Mode DRAM

封装外壳

42-BSOJ(0.400",10.16mm 宽)

制造商

ISSI Integrated Silicon Solution Inc

中文名称

北京矽成 北京矽成半导体有限公司

数据手册

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更新时间

2025-8-18 15:11:00

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IS41LV16100B规格书详情

描述 Description

·Extended Data-Out (EDO) or Fast Page Mode (FPM) option
·TTL compatible inputs and outputs:5V ± 10% and 3.3V ± 10%
·Refresh Mode: RAS-Only, CAS-before-RAS (CBR), and Hidden
·Byte Write and Byte Read operation via two CAS
·Industrial temperature range: -40°C to +85°C
·Long-Term Support

技术参数

  • 产品编号:

    IS41LV16100B-50KLI

  • 制造商:

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

  • 类别:

    集成电路(IC) > 存储器

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 存储器类型:

    易失

  • 存储器格式:

    DRAM

  • 技术:

    DRAM - EDO

  • 存储容量:

    16Mb(1M x 16)

  • 存储器接口:

    并联

  • 电压 - 供电:

    3V ~ 3.6V

  • 工作温度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    42-BSOJ(0.400",10.16mm 宽)

  • 供应商器件封装:

    42-SOJ

  • 描述:

    IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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