16Mb DRAM WITH EDO PAGE MODE

DESCRIPTION TheISSIIS41C16100CandIS41LV16100Care1,048,576 x 16-bit high-performance CMOS Dynamic Random Access Memories. These devices offer a cycle access called Extended Data Out (EDO) Page Mode. EDO Page Mode allows 1,024 random accesses within a single row with access cycle time as short as 3

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ISSI

矽成半导体

EDO & Fast Page Mode DRAM

·Extended Data-Out (EDO) or Fast Page Mode (FPM) option\n·TTL compatible inputs and outputs:5V ± 10% and 3.3V ± 10%\n·Refresh Mode: RAS-Only, CAS-before-RAS (CBR), and Hidden\n·Byte Write and Byte Read operation via two CAS\n·Industrial temperature range: -40°C to +85°C\n·Long-Term Support\n

ISSI

矽成半导体

Package：42-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽）；包装：卷带（TR） 类别：集成电路（IC） 存储器 描述：IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Package：50-TSOP（0.400"，10.16mm 宽），44 引线；包装：卷带（TR） 类别：集成电路（IC） 存储器 描述：IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Package：50-TSOP（0.400"，10.16mm 宽），44 引线；包装：卷带（TR） 类别：集成电路（IC） 存储器 描述：IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc