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IS41C16100C	文件：615.45 Kbytes Page：22 Pages	16Mb DRAM WITH EDO PAGE MODE DESCRIPTION TheISSIIS41C16100CandIS41LV16100Care1,048,576 x 16-bit high-performance CMOS Dynamic Random Access Memories. These devices offer a cycle access called Extended Data Out (EDO) Page Mode. EDO Page Mode allows 1,024 random accesses within a single row with access cycle time as short as 3 文件：615.45 Kbytes 页数：22 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS41C16100C-50KLI-TR	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：42-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽）；包装：卷带（TR）类别：集成电路（IC）存储器描述：IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS41C16100C-50TI	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：50-TSOP（0.400"，10.16mm 宽），44 引线；包装：卷带（TR）类别：集成电路（IC）存储器描述：IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS41C16100C-50TI-TR	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：50-TSOP（0.400"，10.16mm 宽），44 引线；包装：卷带（TR）类别：集成电路（IC）存储器描述：IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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更多IS41C16100C供应商更新时间2025-10-7 11:10:00