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IS42S16320D-7BLI	文件：1.57007 Mbytes Page：66 Pages	16Mx32, 32Mx16, 64Mx8 512Mb SDRAM FEATURES • Clock frequency: 200, 166, 143 MHz • Fully synchronous; all signals referenced to a positive clock edge • Internal bank for hiding row access/precharge • Power supply: Vdd/Vddq = 2.3V-3.6V IS42/45SxxxxxD - Vdd/Vddq = 3.3V IS42/45RxxxxxD - Vdd/Vddq = 2.5 • LVTTL interface • Prog 文件：1.57007 Mbytes 页数：66 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS42S16320D-7BLI	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：54-TFBGA；包装：卷带（TR）类别：集成电路（IC）存储器描述：IC DRAM 512MBIT PARALLEL 54TFBGA	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS42S16320D-7BLI-TR	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：54-TFBGA；包装：卷带（TR）类别：集成电路（IC）存储器描述：IC DRAM 512MBIT PARALLEL 54TFBGA	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS42S16320D-7TL	文件：1.57007 Mbytes Page：66 Pages	16Mx32, 32Mx16, 64Mx8 512Mb SDRAM FEATURES • Clock frequency: 200, 166, 143 MHz • Fully synchronous; all signals referenced to a positive clock edge • Internal bank for hiding row access/precharge • Power supply: Vdd/Vddq = 2.3V-3.6V IS42/45SxxxxxD - Vdd/Vddq = 3.3V IS42/45RxxxxxD - Vdd/Vddq = 2.5 • LVTTL interface • Prog 文件：1.57007 Mbytes 页数：66 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS42S16320D-7TLI	文件：1.57007 Mbytes Page：66 Pages	16Mx32, 32Mx16, 64Mx8 512Mb SDRAM FEATURES • Clock frequency: 200, 166, 143 MHz • Fully synchronous; all signals referenced to a positive clock edge • Internal bank for hiding row access/precharge • Power supply: Vdd/Vddq = 2.3V-3.6V IS42/45SxxxxxD - Vdd/Vddq = 3.3V IS42/45RxxxxxD - Vdd/Vddq = 2.5 • LVTTL interface • Prog 文件：1.57007 Mbytes 页数：66 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI

产品属性

产品编号：
IS42S16320D-7BLI
制造商：
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
卷带（TR）
存储器类型：
易失
存储器格式：
DRAM
技术：
SDRAM
存储容量：
512Mb（32M x 16）
存储器接口：
并联
电压 - 供电：
3V ~ 3.6V
工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
54-TFBGA
供应商器件封装：
54-TW-BGA（8x13）
描述：
IC DRAM 512MBIT PARALLEL 54TFBGA

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