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IRLR8103V中文资料30V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 D-Pak 封装数据手册Infineon规格书

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厂商型号

IRLR8103V

功能描述

30V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 D-Pak 封装

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-10-1 22:59:00

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IRLR8103V规格书详情

特性 Features


优势:
• 符合 RoHS
• 具有业内先进的品质
• 完全雪崩额定值
• 逻辑电平

技术参数

  • 制造商编号

    :IRLR8103V

  • 生产厂家

    :Infineon

  • Package 

    :DPAK (TO-252)

  • VDS max

    :30.0V

  • RDS (on)(@10V) max

    :9.0mΩ

  • RDS (on) max

    :9.0mΩ

  • RDS (on)(@4.5V) max

    :10.5mΩ

  • Polarity 

    :N

  • ID  max

    :61.0A

  • ID (@ TC=100°C) max

    :61.0A

  • ID (@ TC=25°C) max

    :89.0A

  • Ptot max

    :89.0W

  • QG 

    :27.0nC 

  • Mounting 

    :SMD

  • Qgd 

    :9.7nC 

  • RthJC max

    :1.4K/W

  • Tj max

    :150.0°C

  • VGS max

    :20.0V

  • Moisture Sensitivity Level 

    :1

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