选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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IRTO-252 |
4538 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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IRTO-252 |
12300 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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深圳市亚泰盈科电子有限公司11年
留言
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IRSOT-252 |
30216 |
提供BOM表配单TEL:0755-83759919QQ:2355705587杜S |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
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IRD-Pak |
31518 |
17+ |
原装正品 可含税交易 |
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中天科工半导体(深圳)有限公司13年
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原装NA |
38988 |
23+ |
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热卖原装进口 |
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深圳市金胜达微科技有限公司2年
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IRTO-252 |
10000 |
21+ |
原厂订货价格优势,可开13%的增值税票 |
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深圳市金芯世纪电子有限公司1年
留言
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100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
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深圳市天成基业科技有限公司2年
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INFINEON/英飞凌TO-252 |
500 |
21+ |
全新、原装 |
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齐创科技(上海,北京,青岛)有限公司10年
留言
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IR进口TO-252 |
30000 |
23+ |
原装正品,假一罚十 |
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深圳市弘扬芯城科技有限公司1年
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VBsemi(微碧)TO-252 |
5000 |
24+ |
诚信服务,绝对原装原盘。 |
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深圳市明嘉莱科技有限公司3年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-252 |
160102 |
24+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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深圳市勤思达科技有限公司11年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-252 |
9000 |
2021+ |
全新原装正品 现货供应 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司2年
留言
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IRTO-252 |
9800 |
22+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳市明嘉莱科技有限公司4年
留言
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INFINEONSMD |
918000 |
23+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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深圳市大联智电子有限公司3年
留言
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IRTO-252 |
34000 |
21+ |
原装现货,一站式配套 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司4年
留言
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Infineon(英飞凌)TO-252 |
9908 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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Infineon(英飞凌)TO-252 |
13316 |
23+ |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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Infineon(英飞凌)TO-252 |
9048 |
23+ |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
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深圳市柯尔基电子有限公司10年
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IR/INTERSILTO-252 |
9865 |
23+/24+ |
主营IR//英飞凌.终端BOM表可配单 |
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深圳市恒凯威科技开发有限公司8年
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IRTO-252 |
6880 |
21+ |
只做原装,质量保证 |
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IRLR7843TRPBF价格
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IRLR7843TRPBF MOSFET N-CH 30V 161A TO-252-3 MOS管 IR
深圳市轩嘉盛电子有限公司IRLR7843TRPBF30V161ATO-252-3
IRLR7843TRPBF中文资料Alldatasheet PDF
更多IRLR7843制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:HEXFET Power MOSFET
IRLR7843CPBF功能描述:MOSFET N-CH 30V 161A DPAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRLR7843CTRPBF功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 4.5mOhms 38nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRLR7843HR制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 161A 3-Pin(2+Tab) DPAK
IRLR7843PBF功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 3.3mOhms 34nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRLR7843TR功能描述:MOSFET N-CH 30V 161A DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRLR7843TRL制造商:International Rectifier 功能描述:N CHANNEL MOSFET, 30V, 161A, D-PAK, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Dr
IRLR7843TRLPBF功能描述:MOSFET MOSFT 30V 161A 3.3mOhm 34nC Log Lvl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRLR7843TRPBF功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 3.3mOhms 34nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRLR7843TRRPBF功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 3.3mOhms 34nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube