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IRLR2905数据手册分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个规格书PDF

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厂商型号

IRLR2905

参数属性

IRLR2905 封装/外壳为TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个;产品描述:MOSFET N-CH 55V 36A DPAK

功能描述

55V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 D-Pak 封装
MOSFET N-CH 55V 36A DPAK

封装外壳

TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-8-8 13:10:00

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IRLR2905规格书详情

特性 Features


优势:
• 符合 RoHS
• 低 RDS(on)
• 具有业内先进的品质
• 动态的dv/dt额定值
• 快速开关
• 完全雪崩额定值
• 175°C 的工作温度
• 逻辑电平

简介

IRLR2905属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个。由制造生产的IRLR2905晶体管 - FET,MOSFET - 单个分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :IRLR2905

  • 生产厂家

    :Infineon

  • OPN

    :IRLR2905TRLPBF/IRLR2905TRPBF

  • Qualification

    :Non-Automotive

  • Package name

    :DPAK/DPAK

  • VDS max

    :55 V

  • RDS (on) @10V max

    :27 mΩ/27 mΩ

  • RDS (on) @4.5V max

    :40 mΩ/40 mΩ

  • ID @25°C max

    :42 A/42 A

  • QG typ @4.5V

    :23 nC/23 nC

  • Polarity

    :N

  • VGS(th) min

    :1 V/1 V

  • VGS(th) max

    :2 V/2 V

  • VGS(th)

    :1.5 V/1.5 V

  • Technology

    :IR MOSFET™/IR MOSFET™

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