IRLR2905数据手册分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个规格书PDF

厂商型号 |
IRLR2905 |
参数属性 | IRLR2905 封装/外壳为TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个;产品描述:MOSFET N-CH 55V 36A DPAK |
功能描述 | 55V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 D-Pak 封装 |
封装外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 |
制造商 | Infineon Infineon Technologies AG |
中文名称 | 英飞凌 英飞凌科技股份公司 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-8 13:10:00 |
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IRLR2905规格书详情
特性 Features
优势:
• 符合 RoHS
• 低 RDS(on)
• 具有业内先进的品质
• 动态的dv/dt额定值
• 快速开关
• 完全雪崩额定值
• 175°C 的工作温度
• 逻辑电平
简介
IRLR2905属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个。由制造生产的IRLR2905晶体管 - FET,MOSFET - 单个分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。
技术参数
更多- 制造商编号
:IRLR2905
- 生产厂家
:Infineon
- OPN
:IRLR2905TRLPBF/IRLR2905TRPBF
- Qualification
:Non-Automotive
- Package name
:DPAK/DPAK
- VDS max
:55 V
- RDS (on) @10V max
:27 mΩ/27 mΩ
- RDS (on) @4.5V max
:40 mΩ/40 mΩ
- ID @25°C max
:42 A/42 A
- QG typ @4.5V
:23 nC/23 nC
- Polarity
:N
- VGS(th) min
:1 V/1 V
- VGS(th) max
:2 V/2 V
- VGS(th)
:1.5 V/1.5 V
- Technology
:IR MOSFET™/IR MOSFET™
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