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IRLML2803GPBF中文资料采用无卤素 Micro3 封装的 30V 单 N 通道无铅 HEXFET 功率 MOSFET数据手册Infineon规格书

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厂商型号

IRLML2803GPBF

功能描述

采用无卤素 Micro3 封装的 30V 单 N 通道无铅 HEXFET 功率 MOSFET

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-9-21 22:59:00

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技术参数

  • 制造商编号

    :IRLML2803GPBF

  • 生产厂家

    :Infineon

  • Package 

    :SOT-23

  • VDS max

    :30.0V

  • RDS (on) max

    :250.0mΩ

  • RDS (on)(@10V) max

    :250.0mΩ

  • RDS (on)(@4.5V) max

    :400.0mΩ

  • Polarity 

    :N

  • ID (@ TA=70°C) max

    :0.93A

  • ID (@ TA=25°C) max

    :1.2A

  • Ptot(@ TA=25°C) max

    :0.54W

  • QG 

    :3.3nC 

  • RthJA max

    :230.0K/W

  • Mounting 

    :SMD

  • Moisture Sensitivity Level 

    :1

  • Qgd 

    :1.1nC 

  • VGS max

    :20.0V

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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24+
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INFINEON
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SOT-23
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