AUTOMOTIVE MOSFET

文件：273.3 Kbytes 页数：10 Pages

IRF

HEXFET짰 Power MOSFET

文件：217.47 Kbytes 页数：10 Pages

IRF

ADVANCED PROCESS TECHNOLOGY

文件：271.47 Kbytes 页数：10 Pages

IRF

Advanced Process Technology

文件：271.47 Kbytes 页数：10 Pages

IRF

ADVANCED PROCESS TECHNOLOGY

文件：271.47 Kbytes 页数：10 Pages

IRF

Advanced Process Technology

文件：271.47 Kbytes 页数：10 Pages

IRF

N-Channel 60-V (D-S) MOSFET

文件：964.25 Kbytes 页数：6 Pages

VBSEMI

微碧半导体

采用 SOT-223 封装的 55V 单 N 通道 IR MOSFET

\n优势:\n• 符合 RoHS\n• 低 RDS(on)\n• 具有业内先进的品质\n• 动态的dv/dt额定值\n• 快速开关\n• 完全雪崩额定值\n• 175°C 的工作温度\n• 逻辑电平;

Infineon

英飞凌

StrongIRFET ™功率 MOSFET 55 V，采用 SOT-223 封装

\n优势:\n• Wide availability from distribution partners\n• Industry standard qualification level\n• Standard pinout allows for drop in replacement\n• High performance in low frequency applications;

Infineon

英飞凌

采用 SOT-223 封装的 55V 单 N 通道 HEXFET 功率 MOSFET

Infineon

英飞凌