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IRL1104	文件：90.45 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET Power MOSFET VDSS = 40V RDS(on) = 0.008Ω ID = 104A Description Fifth Generation HEXFET® power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and rugged 文件：90.45 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRL1104L	文件：203.35 Kbytes Page：11 Pages	Logic-Level Gate Drive VDSS = 40V RDS(on) = 0.008Ω ID = 104A Description Fifth Generation HEXFET® power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and rugged 文件：203.35 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRL1104LPBF	文件：222.92 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET Power MOSFET VDSS = 40V RDS(on) = 0.008Ω ID = 104A Description Fifth Generation HEXFET® power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and rugged 文件：222.92 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRL1104PBF	文件：172.66 Kbytes Page：9 Pages	Logic-Level Gate Drive VDSS = 40V RDS(on) = 0.008Ω ID = 104A Description Fifth Generation HEXFET® power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and rugged 文件：172.66 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRL1104S	文件：203.35 Kbytes Page：11 Pages	Logic-Level Gate Drive VDSS = 40V RDS(on) = 0.008Ω ID = 104A Description Fifth Generation HEXFET® power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and rugged 文件：203.35 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRL1104S	文件：194.25 Kbytes Page：10 Pages	Advanced Process Technology Logic-Level Gate Drive VDSS = 40V RDS(on) = 0.008Ω ID = 104A Description Fifth Generation HEXFET® power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and rugged 文件：194.25 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRL1104SPBF	文件：222.92 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET Power MOSFET VDSS = 40V RDS(on) = 0.008Ω ID = 104A Description Fifth Generation HEXFET® power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and rugged 文件：222.92 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRL1104	文件：300 bytes Page：1 Pages	HEXFET Power MOSFET	Infineon 英飞凌	Infineon
IRL1104L	文件：300 bytes Page：1 Pages	Logic-Level Gate Drive	Infineon 英飞凌	Infineon
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详细参数

型号：
IRL110
功能描述：
MOSFET N-CH 40V 104A D2PAK
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
HEXFET®
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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