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IRHG63110	文件：195.17 Kbytes Page：14 Pages	100V, Combination 2N-2P-CHANNEL RAD-Hard HEXFET MOSFET TECHNOLOGY 文件：195.17 Kbytes 页数：14 Pages	IRF	IRF
IRHQ63110	文件：192.32 Kbytes Page：14 Pages	RADIATION HARDENED POWER MOSFET SURFACE MOUNT (LCC-28) 100V, Combination 2N-2P-CHANNEL International Rectifier’s RAD-HardTM HEXFET® MOSFET Technology provides high performance power MOSFETs for space applications. This technology has over a decade of proven performance and reliability in satellite applications. These devices have been characterized f 文件：192.32 Kbytes 页数：14 Pages	IRF	IRF
SPU63110	文件：267.94 Kbytes Page：2 Pages	SPU63 SERIES 文件：267.94 Kbytes 页数：2 Pages	MPSIND 美国芯源	MPSIND
63110-C	文件：64.8 Kbytes Page：2 Pages	438 PCB Barrier Terminal Strip, 600V 文件：64.8 Kbytes 页数：2 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
63110-M	文件：64.8 Kbytes Page：2 Pages	438 PCB Barrier Terminal Strip, 600V 文件：64.8 Kbytes 页数：2 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
63110-V	文件：64.8 Kbytes Page：2 Pages	438 PCB Barrier Terminal Strip, 600V 文件：64.8 Kbytes 页数：2 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC

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