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IRGP50B60PD1-E数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF
| 厂商型号 |
IRGP50B60PD1-E |
| 参数属性 | IRGP50B60PD1-E 封装/外壳为TO-3P-3 整包；包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单；产品描述：IGBT NPT 600V 75A TO247AD |
| 功能描述 | 600V Warp2 150kHz Copack IGBT in a TO-247AD package |
| 封装外壳 | TO-3P-3 整包 |
| 制造商 | Infineon Infineon Technologies AG |
| 中文名称 | 英飞凌 英飞凌科技股份公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-7 22:30:00 |
| 人工找货 | IRGP50B60PD1-E价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
IRGP50B60PD1-E规格书详情
应用 Application
·AC-DC
·Fan
·Pump
简介
IRGP50B60PD1-E属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的IRGP50B60PD1-E晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
技术参数
更多- 制造商编号
：IRGP50B60PD1-E
- 生产厂家
：Infineon
- Technology
：IGBT Gen 5
- Switching Frequency min max
：30.0kHz 150.0kHz
- Package
：TO-247
- Voltage Class max
：600.0V
- IC(@100°) max
：45.0A
- IC(@25°) max
：75.0A
- ICpuls max
：150.0A
- Ptot max
：390.0W
- VCE(sat)
：2.0V
- Eon
：0.255mJ
- Eoff(Hard Switching)
：0.375mJ
- td(on)
：30.0ns
- tr
：10.0ns
- td(off)
：130.0ns
- tf
：11.0ns
- QGate
：205.0nC
- IF max
：150.0A
- VF
：1.3V
- Qrr
：80.0nC
- Irrm
：4.0A
- Ets (max)
：0.63mJ (0.75mJ)
- VCE max
：600.0V
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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