IRGP4262D数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF

厂商型号 |
IRGP4262D |
参数属性 | IRGP4262D 封装/外壳为TO-247-3;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 650V 60A 250W TO247AC |
功能描述 | 650V Low VCEon Trench Co-Pack IGBT in a TO-247AC package. |
封装外壳 | TO-247-3 |
制造商 | Infineon Infineon Technologies AG |
中文名称 | 英飞凌 英飞凌科技股份公司 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-8 8:41:00 |
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IRGP4262D规格书详情
应用 Application
·Pump
·Solar
·UPS
·Welding
简介
IRGP4262D属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的IRGP4262D晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
技术参数
更多- 制造商编号
:IRGP4262D
- 生产厂家
:Infineon
- Switching Frequency min max
:8.0kHz 30.0kHz
- Package
:TO-247
- Voltage Class max
:650.0V
- IC(@100°) max
:40.0A
- IC(@25°) max
:60.0A
- ICpuls max
:96.0A
- Ptot max
:250.0W
- VCE(sat)
:1.7V
- Eon
:0.52mJ
- Eoff(Hard Switching)
:0.24mJ
- td(on)
:24.0ns
- tr
:27.0ns
- td(off)
:73.0ns
- tf
:23.0ns
- QGate
:47.0nC
- IF max
:96.0A
- VF
:1.6V
- Irrm
:17.0A
- Ets (max)
:0.76mJ (1.09mJ)
- VCE max
:650.0V
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
21+ |
TO247 |
10000 |
原装现货假一罚十 |
询价 | ||
IR |
17+ |
TO247 |
6200 |
100%原装正品现货 |
询价 | ||
IR |
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TO247 |
1625 |
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Infineon |
2022+ |
原厂原包装 |
6800 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
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INFINEON/英飞凌 |
23+ |
TO-247 |
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当天发货全新原装现货 |
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IR |
25+ |
TO247 |
860000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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IR |
24+ |
TO-247 |
47186 |
郑重承诺只做原装进口现货 |
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Infineon Technologies |
24+ |
原装 |
5000 |
原装正品,提供BOM配单服务 |
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IR |
1307+ |
TO-247 |
65 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
IR |
25+ |
TO-247 |
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