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IRGP4262D-EPBF	文件：679.11 Kbytes Page：12 Pages	Insulated Gate Bipolar Transistor with Ultrafast Soft Recovery Diode • VCES = 650V • IC = 40A, TC =100°C • tSC ≥ 5.5µs, TJ(max) = 175°C • VCE(ON) typ. = 1.7V @ IC = 24A Applications • Industrial Motor Drive • UPS 文件：679.11 Kbytes 页数：12 Pages	IRF	IRF
IRGP4262DPBF	文件：679.11 Kbytes Page：12 Pages	Insulated Gate Bipolar Transistor with Ultrafast Soft Recovery Diode • VCES = 650V • IC = 40A, TC =100°C • tSC ≥ 5.5µs, TJ(max) = 175°C • VCE(ON) typ. = 1.7V @ IC = 24A Applications • Industrial Motor Drive • UPS 文件：679.11 Kbytes 页数：12 Pages	IRF	IRF
IRGP4262DPBF	文件：679.11 Kbytes Page：12 Pages	Insulated Gate Bipolar Transistor with Ultrafast Soft Recovery Diode 文件：679.11 Kbytes 页数：12 Pages	IRF	IRF
IRGP4262DPBF_15	文件：679.11 Kbytes Page：12 Pages	Insulated Gate Bipolar Transistor with Ultrafast Soft Recovery Diode 文件：679.11 Kbytes 页数：12 Pages	IRF	IRF
IRGP4262D	文件：300 bytes Page：1 Pages	650V Low VCEon Trench Co-Pack IGBT in a TO-247AC package.	Infineon 英飞凌	Infineon
IRGP4262D-EPBF	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-247-3；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 650V 60A 250W TO247AC	Infineon 英飞凌	Infineon
IRGP4262DPBF	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-247-3；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 650V 60A 250W TO247AC	Infineon 英飞凌	Infineon

产品属性

产品编号：
IRGP4262D-EPBF
制造商：
Infineon Technologies
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
散装
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.1V @ 15V，24A
开关能量：
520µJ（开），240µJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
24ns/73ns
测试条件：
400V，24A，10 欧姆，15V
工作温度：
-40°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-247-3
供应商器件封装：
TO-247AD
描述：
IGBT 650V 60A 250W TO247AC

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