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IRGI4060DPBF中文资料PDF规格书
| 厂商型号 |
IRGI4060DPBF |
| 参数属性 | IRGI4060DPBF 封装/外壳为TO-220-3 整包；包装为管件；类别为分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单；产品描述：IGBT 600V 14A 37W TO220ABFP |
| 功能描述 | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRA FAST RECOVERY DIODE |
| 文件大小 |
319.45 Kbytes |
| 页面数量 |
10 页 |
| 生产厂商 | International Rectifier |
| 企业简称 |
IRF【英飞凌】 |
| 中文名称 | 英飞凌科技公司官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2024-6-15 18:06:00 |
IRGI4060DPBF规格书详情
Features
• Low VCE (on) Trench IGBT Technology
• Low Switching Losses
• 5μs SCSOA
• Square RBSOA
• 100 of The Parts Tested for ILM
• Positive VCE (on) Temperature Coefficient.
• Ultra Fast Soft Recovery Co-pak Diode
• Tighter Distribution of Parameters
• Lead-Free Package
Benefits
• High Efficiency in a Wide Range of Applications
• Suitable for a Wide Range of Switching Frequencies due
to Low VCE (ON) and Low Switching Losses
• Rugged Transient Performance for Increased Reliability
• Excellent Current Sharing in Parallel Operation
• Low EMI
产品属性
- 产品编号：
IRGI4060DPBF
- 制造商：
Infineon Technologies
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装：
管件
- IGBT 类型：
沟道
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
1.72V @ 15V，7.5A
- 开关能量：
47µJ（开），141µJ（关）
- 输入类型：
标准
- 25°C 时 Td（开/关）值：
29ns/101ns
- 测试条件：
400V，7.5A，47 欧姆，15V
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3 整包
- 供应商器件封装：
TO-220AB 整包
- 描述：
IGBT 600V 14A 37W TO220ABFP
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
08+ |
TO220F |
60 |
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询价 | ||
IR |
24+ |
TO220F |
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IR |
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TO220F |
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IR |
TO220F |
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IR |
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Infineon Technologies |
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TO220AB FullPak |
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IR |
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TO-TO-220AB |
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IR |
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