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IRGB10B60KD中文资料600V 超快 10-30 kHz Copack IGBT,采用 TO-220AB 封装数据手册Infineon规格书

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厂商型号

IRGB10B60KD

参数属性

IRGB10B60KD 封装/外壳为TO-220-3;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 600V 22A 156W TO220AB

功能描述

600V 超快 10-30 kHz Copack IGBT,采用 TO-220AB 封装
IGBT 600V 22A 156W TO220AB

封装外壳

TO-220-3

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-9-26 11:14:00

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IRGB10B60KD规格书详情

应用 Application

• 家用空调
• 烘干机
• 风扇
• 泵
• 太阳能
• 不间断电源(UPS)
• 洗衣机
• 焊接

简介

IRGB10B60KD属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的IRGB10B60KD晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :IRGB10B60KD

  • 生产厂家

    :Infineon

  • Technology 

    :IGBT Gen 5

  • Switching Frequency min max

    :8.0kHz 30.0kHz

  • Package 

    :TO-220

  • Voltage Class max

    :600.0V

  • IC(@100°) max

    :19.0A

  • IC(@25°) max

    :35.0A

  • ICpuls max

    :44.0A

  • Ptot max

    :104.0W

  • VCE(sat) 

    :1.8V 

  • Eon 

    :0.23mJ 

  • Eoff(Hard Switching) 

    :0.35mJ 

  • td(on) 

    :30.0ns 

  • tr 

    :20.0ns 

  • td(off) 

    :230.0ns 

  • tf 

    :23.0ns 

  • QGate 

    :38.0nC 

  • IF max

    :44.0A

  • VF 

    :1.3V 

  • Irrm 

    :19.0A 

  • Ets  (max)

    :0.39mJ (0.67mJ)

  • VCE max

    :600.0V

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