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IRGB10B60KD中文资料600V 超快 10-30 kHz Copack IGBT,采用 TO-220AB 封装数据手册Infineon规格书

厂商型号 |
IRGB10B60KD |
参数属性 | IRGB10B60KD 封装/外壳为TO-220-3;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 600V 22A 156W TO220AB |
功能描述 | 600V 超快 10-30 kHz Copack IGBT,采用 TO-220AB 封装 |
封装外壳 | TO-220-3 |
制造商 | Infineon Infineon Technologies AG |
中文名称 | 英飞凌 英飞凌科技股份公司 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-9-26 11:14:00 |
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IRGB10B60KD规格书详情
应用 Application
• 家用空调
• 烘干机
• 风扇
• 泵
• 太阳能
• 不间断电源(UPS)
• 洗衣机
• 焊接
简介
IRGB10B60KD属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的IRGB10B60KD晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
技术参数
更多- 制造商编号
:IRGB10B60KD
- 生产厂家
:Infineon
- Technology
:IGBT Gen 5
- Switching Frequency min max
:8.0kHz 30.0kHz
- Package
:TO-220
- Voltage Class max
:600.0V
- IC(@100°) max
:19.0A
- IC(@25°) max
:35.0A
- ICpuls max
:44.0A
- Ptot max
:104.0W
- VCE(sat)
:1.8V
- Eon
:0.23mJ
- Eoff(Hard Switching)
:0.35mJ
- td(on)
:30.0ns
- tr
:20.0ns
- td(off)
:230.0ns
- tf
:23.0ns
- QGate
:38.0nC
- IF max
:44.0A
- VF
:1.3V
- Irrm
:19.0A
- Ets (max)
:0.39mJ (0.67mJ)
- VCE max
:600.0V
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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