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SIHFS9N60A	文件：223.37 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET FEATURES •LowgatechargeQgresultsinsimpledrive requirement •Improvedgate,avalancheanddynamicdV/dt ruggedness •Fullycharacterizedcapacitanceandavalanche voltageandcurrent •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 Note	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIHFS9N60A	文件：1.10799 Mbytes Page：10 Pages	N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
SIHFS9N60A	文件：322.87 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
SIHFS9N60A	文件：165.8 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET FEATURES •LowGateChargeQgresultsinSimpleDrive Requirement •ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dt Ruggedness •FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltage andCurrent •Lead(Pb)-freeAvailable APPLICATIONS •SwitchModePowerSupply(SMPS) •Uninterruptib	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIHFS9N60ATL	文件：165.8 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET FEATURES •LowGateChargeQgresultsinSimpleDrive Requirement •ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dt Ruggedness •FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltage andCurrent •Lead(Pb)-freeAvailable APPLICATIONS •SwitchModePowerSupply(SMPS) •Uninterruptib	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIHFS9N60ATR	文件：165.8 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET FEATURES •LowGateChargeQgresultsinSimpleDrive Requirement •ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dt Ruggedness •FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltage andCurrent •Lead(Pb)-freeAvailable APPLICATIONS •SwitchModePowerSupply(SMPS) •Uninterruptib	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIHFSL9N60A	文件：261.85 Kbytes Page：11 Pages	PowerMOSFETs FEATURES •LowgatechargeQgresultsinsimpledrive requirement •Improvedgate,avalanche,anddynamicdv/dt ruggedness •Fullycharacterizedcapacitanceandavalanche voltageandcurrent •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 Note	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SiHFSL9N60A	文件：234.94 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •LowGateChargeQgResultsinSimpleDrive Requirement •ImprovedGate,AvalancheandDynamic dV/dtRuggedness •FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltage andCurrent •ComplianttoRoHSDirective200	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

详细参数

型号：
IRFSL9N60A
功能描述：
MOSFET N-Chan 600V 9.2 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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