| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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4年
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IRTO252 |
160848 |
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明嘉莱只做原装正品现货 |
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IRN/A |
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13年
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VISHAYN/A |
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3年
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8540 |
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只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
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7年
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IRTO-252 |
45000 |
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IR代理原包原盒,假一罚十。最低价 |
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6年
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VISHAY(威世)TO-252 |
9203 |
24+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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7年
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Vishay(威世)TO-252 |
14548 |
24+ |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
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4年
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IRD-PAK |
31518 |
17+ |
原装正品 可含税交易 |
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13年
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VISHAY |
13600 |
22+ |
华南区总代 |
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15年
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VISHAY/威世TO252 |
20300 |
25+ |
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VISHAY/威世原装特价IRFR9310即刻询购立享优惠#长期有货 |
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5年
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IRTO-252 |
2290 |
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11年
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IRTO-252 |
6540 |
2450+ |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
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12年
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IRD-Pak |
12500 |
2015+ |
全新原装,现货库存长期供应 |
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5年
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VISHAYTO-252-2 |
8000 |
23+ |
只做原装现货 |
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5年
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IRTO-252 |
50000 |
23+ |
全新原装正品现货,支持订货 |
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17年
留言
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IRTO-252 |
408 |
24+ |
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13年
留言
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IRTO-252 |
11846 |
23+ |
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十 |
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5年
留言
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FAIRCHILDTO-252 |
129 |
23+ |
全新原装正品现货,支持订货 |
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13年
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IRTO-252 |
4500 |
25+ |
全新原装、诚信经营、公司现货销售 |
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IRFR9310PBF价格
IRFR9310PBF价格：￥2.3285品牌：Vishay
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IRFR9310中文资料Alldatasheet PDF
更多IRFR9310功能描述:MOSFET P-Chan 400V 1.8 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFR9310PBF功能描述:MOSFET P-Chan 400V 1.8 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFR9310TR功能描述:MOSFET P-Chan 400V 1.8 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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IRFR9310TRLPBF功能描述:MOSFET P-Chan 400V 1.8 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFR9310TRPBF功能描述:MOSFET P-Chan 400V 1.8 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFR9310TRR功能描述:MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRFR9310TRRPBF功能描述:MOSFET P-Chan 400V 1.8 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
