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IRFR430ATRRPBF	文件：158.34 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET 文件：158.34 Kbytes 页数：8 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
IRFR430ATRRPBFA	文件：2.67839 Mbytes Page：7 Pages	Power MOSFET 文件：2.67839 Mbytes 页数：7 Pages	KERSEMI	KERSEMI
IRFR430ATRRPBFA	文件：2.67839 Mbytes Page：7 Pages	Power MOSFET 文件：2.67839 Mbytes 页数：7 Pages	KERSEMI	KERSEMI
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IRFR430A	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFET Low gate charge Qg results in simple drive requirement\nImproved gate, avalanche, and dynamic dV/dt ruggedness\nFully characterized capacitance and avalanche voltage and current;	Vishay 威世	Vishay
IRFR430A/IRFU430A/SiHFR430A/SiHFU430A	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFET	Vishay 威世	Vishay
IRFR430ATRPBF	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOS(场效应管)	Infineon 英飞凌	Infineon

详细参数

型号：
IRFR430
功能描述：
MOSFET 500V Single
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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