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IRFR430ATRRPBFA	文件：2.67839 Mbytes Page：7 Pages	Power MOSFET 文件：2.67839 Mbytes 页数：7 Pages	KERSEMI	KERSEMI
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IRFR430ATRRPBFA	文件：2.67795 Mbytes Page：7 Pages	Power MOSFET 文件：2.67795 Mbytes 页数：7 Pages	KERSEMI	KERSEMI
IRFR430B	文件：674.37 Kbytes Page：9 Pages	500V N-Channel MOSFET General Description These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar, DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand hi 文件：674.37 Kbytes 页数：9 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
IRFS430	文件：265.72 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：265.72 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IRFS430	文件：343.28 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES · Drain Current -ID= 3.1A@ TC=25℃ · Drain Source Voltage -VDSS= 500V(Min) · Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 1.5Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION · Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：343.28 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC

更多IRFR430ATRRPBFA供应商更新时间2026-2-3 13:00:00