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IRFR3710ZPBF_15

Advanced Process Technology

文件:365.44 Kbytes 页数:12 Pages

IRF

IRFR3710ZTRL

HEXFET Power MOSFET

文件:4.70307 Mbytes 页数:12 Pages

KERSEMI

IRFR3710ZTRLPBF

HEXFET짰 Power MOSFET

文件:365.44 Kbytes 页数:12 Pages

IRF

IRFR3710ZTRPBF

Advanced Process Technology

文件:365.44 Kbytes 页数:12 Pages

IRF

IRFR3710ZTRPBF

N-Channel 100-V (D-S) MOSFET

文件:1.02463 Mbytes 页数:8 Pages

VBSEMI

微碧半导体

IRFR3710Z

采用 D-Pak 封装的 100V 单 N 通道 HEXFET 功率 MOSFET

\n优势:\n• 符合 RoHS\n• 具有业内先进的品质\n• 快速开关\n• 175°C 的工作温度;

Infineon

英飞凌

详细参数

  • 型号:

    IRFR3710

  • 功能描述:

    MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 18mOhms 69nC

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
INFINEON
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TO252
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更多IRFR3710供应商 更新时间2025-11-4 10:36:00