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IRFR330A	文件：321.63 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：321.63 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IRFR330B	文件：671.71 Kbytes Page：9 Pages	400V N-Channel MOSFET General Description These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar, DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand hi 文件：671.71 Kbytes 页数：9 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
IRFR330B	文件：321.63 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：321.63 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IRFU330	文件：112.95 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET Power MOSFET Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provide 文件：112.95 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF

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更多IRFR330A供应商更新时间2026-3-16 11:04:00