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IRFR320TRR	文件：1.55974 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The DPAK is designed for surface mounting using vapor phase, infrared, or wave soldering techniques. The st 文件：1.55974 Mbytes 页数：8 Pages	VishayVishay Siliconix 威世	Vishay
IRFR320TRR	文件：4.07629 Mbytes Page：7 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The DPAK is designed for surface mounting using vapor phase, infrared, or wave soldering techniques. The st 文件：4.07629 Mbytes 页数：7 Pages	KERSEMI	KERSEMI
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IRFR320TRRPBFA	文件：4.07629 Mbytes Page：7 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The DPAK is designed for surface mounting using vapor phase, infrared, or wave soldering techniques. The st 文件：4.07629 Mbytes 页数：7 Pages	KERSEMI	KERSEMI
IRFR320TRRPBFA	文件：827.67 Kbytes Page：13 Pages	Power MOSFET 文件：827.67 Kbytes 页数：13 Pages	VishayVishay Siliconix 威世	Vishay

详细参数

型号：
IRFR320TRR
功能描述：
MOSFET N-Chan 400V 3.1 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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