| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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IR/VISHAYTO-252 |
12300 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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深圳市正纳电子有限公司11年
留言
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IRTO-252 |
9782 |
ROHS全新原装 |
原装现货在线咨询样品※技术支持专业电子元器件授权 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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Infineon(英飞凌)TO252 |
13946 |
23+ |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
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深圳市赛尔通科技有限公司14年
留言
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IRD-PAK |
65400 |
23+ |
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深圳市金启宁科技有限公司10年
留言
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TI/德州仪器BGA64 |
12309 |
2206+ |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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IRTO252 |
7906200 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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Infineon(英飞凌)TO252 |
18214 |
23+ |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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IRTO-252 |
12300 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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INFINEONTO-252 |
4000 |
2022+ |
原装原厂代理 可免费送样品 |
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深圳市华高宇电子有限公司1年
留言
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4000 |
11+ |
PG-TO252-3 (DPAK) |
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深圳市安博威科技有限公司4年
留言
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INFINEON/IRPG-TO252-3 (DPAK) |
4000 |
21+ |
原装正品 有挂有货 |
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深圳市凌特半导体科技有限公司2年
留言
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Infineon英飞凌专营TO252 |
9000 |
原装现货当天可交货,长期备货支持BOM配单账期 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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IR/VISHAYNA/ |
5750 |
23+ |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
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深圳市威尔健半导体有限公司4年
留言
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IR/VISHAYD-Pak |
2500 |
23+ |
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深圳兆威电子有限公司5年
留言
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IRTO-252 |
90000 |
20+ |
全新原装正品/库存充足 |
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深圳兆威电子有限公司6年
留言
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IRD-Pak |
90000 |
23+ |
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持 |
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深圳市特顺芯科技有限公司15年
留言
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IRTO-252 |
2500 |
03+ |
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深圳宇航军工半导体有限公司11年
留言
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IR14 |
74993 |
19+ |
原厂代理渠道,每一颗芯片都可追溯原厂； |
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深圳市昌和盛利电子有限公司14年
留言
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IRTO-252 |
35890 |
23+ |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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IR/VISHAYTO-252 |
12300 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
IRFR3504采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
IRFR3504图片
IRFR3504ZTRPBF价格
IRFR3504ZTRPBF价格：￥3.6344品牌：International
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IRFR3504中文资料Alldatasheet PDF
更多IRFR3504制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:AUTOMOTIVE MOSFET
IRFR3504HR制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 40V 87A 3PIN DPAK - Bulk
IRFR3504PBF功能描述:MOSFET 40V 1 N-CH HEXFET 9.2mOhms 48nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFR3504TRHR制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 40V 87A 3PIN DPAK - Tape and Reel
IRFR3504TRLHR制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, 40V, 87A, 9.2 MOHM, 48 NC QG, D-PAK - Tape and Reel
IRFR3504TRLPBF功能描述:MOSFET N-CH 40V 30A DPAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRFR3504TRPBF功能描述:MOSFET MOSFT 40V 87A 9.2mOhm 48nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFR3504TRRHR制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, 40V, 87A, 9.2 MOHM, 48 NC QG, D-PAK - Tape and Reel
IRFR3504TRRPBF功能描述:MOSFET N-CH 40V 30A DPAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRFR3504Z功能描述:MOSFET N-CH 40V 42A DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
