IRFR224中文资料KERSEMI数据手册PDF规格书

厂商型号	IRFR224
功能描述	Power MOSFET
文件大小	3.37075 Mbytes
页面数量	7 页
生产厂商	Kersemi Electronic Co., Ltd.
企业简称	KERSEMI
中文名称	Kersemi Electronic Co., Ltd.官网
原厂标识	KERSEMI
数据手册	下载地址一下载地址二
更新时间	2025-8-5 13:20:00
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IRFR224规格书详情

DESCRIPTION

Third generation Power MOSFETs form Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness.

The DPAK is designed for surface mounting using vapor phase, infrared, or wave solderig techniques. The straight lead version (IRFU/SiHFU series) is for through-hole mounting applications. Power dissipation levels up to 1.5 W are possible in typical surface mount applications.

FEATURES

• Dynamic dV/dt Rating

• Repetitive Avalanche Rated

• Surface Mount (IRFR224/SiHFR224)

• Straight Lead (IRFU224/SiHFU224)

• Available in Tape and Reel

• Fast Switching

• Ease of Paralleling

• Lead (Pb)-free Available

产品属性

型号：
IRFR224
功能描述：
MOSFET N-Chan 250V 3.8 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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